t0u'sh-i历史
原本就是电子工业行业内专家级人物，又从二十一世纪重生而来谭振华，非常清楚电子工业，特别是半导体工业水平对未来世界的重要性，可以毫不夸张地说，半导体工业水平的高低，能根本性地影响甚至决定一个国家在整个世界中扮演的角色。
从某种意义上甚至可以认为，所谓的“全球霸权”，必然建立在“科技霸权”的基础之上，而“半导体霸权”则是“科技霸权”最重要的一块基石！
有同学肯定不服气，说谭二这个观点偏激，除了半导体以外，材料学、基础物理、生物学、化工等等也都很重要，都是人类现代社会的基石，凭什么说“科技霸权”的基础是“半导体霸权”啊？
这当然是因为，科技发展到了二十世纪下半叶之后，随着人类对自然认识研究的深入，再也难以涌现出某个天才凭一己之力、一个科技发明成果就能推动整个人类社会进步的案例了，绝大多数的科研成果，都需要众多的科研工作者协同在一起，进行大量的研究和科学实验才能积累出某个方向上的突破，而不管是从事哪一行的研究，现代化的仪器仪表都是不可或缺的，对获得的各种数据进行分析比对也是最基础的工作。
这也就决定了，无论你现在研究什么行业哪种尖端科技，都离不开半导体行业为你提供的各种先进仪器仪表、各种传感器、大算力的计算机、先进的数据传输及分析手
段等等等等的帮助。
说白一点，半导体产业落后的国家，将很快丧失与其他先进国家竞争的能力，不管他之前的积累有多厚实都没用。
不信？请看在这方面点歪了科技树的苏俄以及之后的主要遗产继承者大毛子罗斯国每况愈下的状态就知道了。
其实不但谭振华知道这一点，华夏电子行业当前的主要领导者们也非常清楚这一点，在各大部委中，电子部也一向是对最新科技追求最为激进的部委，在谭振华前世的历史上，他们只是疏忽了两点——第一是知识产权会在这其中发挥的重要作用；第二则是关键制造设备会被人拿捏住要害；以至于华夏后来追赶的时候，被无数的专利壁垒及关键设备的进口禁令束缚住了手脚，步履艰难。
不过即便如此，华夏依然是全球后冷战时代“一超多强”格局中，最强的那个“强”，也是唯一能与那“一超”正面抗衡的那个“强”，并且正以极高的加速度逼近那个“一超”。
而谭振华今天将与电子部展开的一系列合作，其最终目的，就是为了补齐前世因为各种原因而造成的这些短板。
与同学们设想的不同，1986年，华夏此时的半导体工业水平并没有落后国际先进水平很多，如果一定要以时间为单位来进行衡量的话，不到十年。
不信？我们可以t0u'sh-i一下历史。
1947年，人类历史上第一支半导体晶体管在著名的贝尔实验室诞生，1949年11月，巴黎统筹委员会成立，新华夏被列入
主要高技术出口受限国，首期被列入禁运清单上的军事武器装备、尖端技术产品和稀有物资共计三大类上万种产品，半导体器件及生产设备当然名列其上。
从1950年开始，大量华夏留学人员在祖国的召唤下开始纷纷回国积极投身祖国建设，在这其中，就有华夏半导体事业的先驱和奠基人之一、巾帼英雄谢希德院士；华夏固体和半导体物理学奠基人之一，黄昆院士——顺便说一句，这位黄院士有一位名叫杨震吟的同学；有半导体电子学的开拓者与推动者，半导体电子学界的经典著作《TransistrEleics》一书的作者，成众志高级研究员；有华夏半导体材料科学的奠基人和开拓者、“华夏太空材料之母”，林兰英院士…
1956年，华夏发出了“向科学进军”的伟大号召，鼓舞着所有的科研工作者们努力向科学的高峰攀登，而在这一批先驱者的带领下，新华夏的半导体事业真正的从零开始起步，从无到有，逐渐建设起了自己的产业。
同年11月，第一支具有完整的pn结特性、具有pnp结型晶体三极管的标准放大特性的锗合金结晶体三极管在华夏科学院物理研究所半导体器件实验室诞生，这一划时代的科技成果宣告了华夏也已经踏入了半导体时代的门槛。
1957年，米国历史上最有影响的半导体公司仙童成立；同年，京城电子管厂通
过还原氧化锗，拉出了锗单晶；华夏科学院物理研究所半导体研究室和二机部第11研究所第4研究室开发成功锗合金扩散晶体管，该研究室历经发展，现在的名称是电子部第4013研究所，也是电子部南北两大半导体器件研究所中的“北所”。
1958年，德州仪器和仙童几乎同时发明了集成电路，同年，华夏为研制高技术专用109计算机成立了全国首家半导体器件生产厂“109厂”，华夏自此拥有了半导体器件和集成电路研制生产中试厂。
还是在这一年，电子部第4055研究所，也就是谭振华老妈的工作单位在宁都创立，开始了半导体微波器件的研制探索，4055所，也就是电子部南北两大半导体器件研究所中的“南所”。
1959年9月15日，“601试验所”（后发展为电子部第4046研究所）成功拉出华夏首颗硅单晶，使华夏成为继米国、苏俄之后，第三个可以自己拉制硅单晶的国家；还是在这一年，华夏首次用四**化硅氢还原法制成了纯度高达99.9999999%，史称“九个九”的高纯度多晶硅，拉出了第一根钨丝区熔单晶硅。
1962年，米国制成了全球第一支半导体激光器；华夏拉制出**化镓（GaAs）单晶，为研究制备化合物半导体器件建立了基础，也为华夏研制大功率微波半导体器件打下了第一根桩；还是在这一年，华夏研究制成硅外延工艺，并开始采用照相制版、光刻工艺。
原本就是电子工业行业内专家级人物，又从二十一世纪重生而来谭振华，非常清楚电子工业，特别是半导体工业水平对未来世界的重要性，可以毫不夸张地说，半导体工业水平的高低，能根本性地影响甚至决定一个国家在整个世界中扮演的角色。
从某种意义上甚至可以认为，所谓的“全球霸权”，必然建立在“科技霸权”的基础之上，而“半导体霸权”则是“科技霸权”最重要的一块基石！
有同学肯定不服气，说谭二这个观点偏激，除了半导体以外，材料学、基础物理、生物学、化工等等也都很重要，都是人类现代社会的基石，凭什么说“科技霸权”的基础是“半导体霸权”啊？
这当然是因为，科技发展到了二十世纪下半叶之后，随着人类对自然认识研究的深入，再也难以涌现出某个天才凭一己之力、一个科技发明成果就能推动整个人类社会进步的案例了，绝大多数的科研成果，都需要众多的科研工作者协同在一起，进行大量的研究和科学实验才能积累出某个方向上的突破，而不管是从事哪一行的研究，现代化的仪器仪表都是不可或缺的，对获得的各种数据进行分析比对也是最基础的工作。
这也就决定了，无论你现在研究什么行业哪种尖端科技，都离不开半导体行业为你提供的各种先进仪器仪表、各种传感器、大算力的计算机、先进的数据传输及分析手
段等等等等的帮助。
说白一点，半导体产业落后的国家，将很快丧失与其他先进国家竞争的能力，不管他之前的积累有多厚实都没用。
不信？请看在这方面点歪了科技树的苏俄以及之后的主要遗产继承者大毛子罗斯国每况愈下的状态就知道了。
其实不但谭振华知道这一点，华夏电子行业当前的主要领导者们也非常清楚这一点，在各大部委中，电子部也一向是对最新科技追求最为激进的部委，在谭振华前世的历史上，他们只是疏忽了两点——第一是知识产权会在这其中发挥的重要作用；第二则是关键制造设备会被人拿捏住要害；以至于华夏后来追赶的时候，被无数的专利壁垒及关键设备的进口禁令束缚住了手脚，步履艰难。
不过即便如此，华夏依然是全球后冷战时代“一超多强”格局中，最强的那个“强”，也是唯一能与那“一超”正面抗衡的那个“强”，并且正以极高的加速度逼近那个“一超”。
而谭振华今天将与电子部展开的一系列合作，其最终目的，就是为了补齐前世因为各种原因而造成的这些短板。
与同学们设想的不同，1986年，华夏此时的半导体工业水平并没有落后国际先进水平很多，如果一定要以时间为单位来进行衡量的话，不到十年。
不信？我们可以t0u'sh-i一下历史。
1947年，人类历史上第一支半导体晶体管在著名的贝尔实验室诞生，1949年11月，巴黎统筹委员会成立，新华夏被列入
主要高技术出口受限国，首期被列入禁运清单上的军事武器装备、尖端技术产品和稀有物资共计三大类上万种产品，半导体器件及生产设备当然名列其上。
从1950年开始，大量华夏留学人员在祖国的召唤下开始纷纷回国积极投身祖国建设，在这其中，就有华夏半导体事业的先驱和奠基人之一、巾帼英雄谢希德院士；华夏固体和半导体物理学奠基人之一，黄昆院士——顺便说一句，这位黄院士有一位名叫杨震吟的同学；有半导体电子学的开拓者与推动者，半导体电子学界的经典著作《TransistrEleics》一书的作者，成众志高级研究员；有华夏半导体材料科学的奠基人和开拓者、“华夏太空材料之母”，林兰英院士…
1956年，华夏发出了“向科学进军”的伟大号召，鼓舞着所有的科研工作者们努力向科学的高峰攀登，而在这一批先驱者的带领下，新华夏的半导体事业真正的从零开始起步，从无到有，逐渐建设起了自己的产业。
同年11月，第一支具有完整的pn结特性、具有pnp结型晶体三极管的标准放大特性的锗合金结晶体三极管在华夏科学院物理研究所半导体器件实验室诞生，这一划时代的科技成果宣告了华夏也已经踏入了半导体时代的门槛。
1957年，米国历史上最有影响的半导体公司仙童成立；同年，京城电子管厂通
过还原氧化锗，拉出了锗单晶；华夏科学院物理研究所半导体研究室和二机部第11研究所第4研究室开发成功锗合金扩散晶体管，该研究室历经发展，现在的名称是电子部第4013研究所，也是电子部南北两大半导体器件研究所中的“北所”。
1958年，德州仪器和仙童几乎同时发明了集成电路，同年，华夏为研制高技术专用109计算机成立了全国首家半导体器件生产厂“109厂”，华夏自此拥有了半导体器件和集成电路研制生产中试厂。
还是在这一年，电子部第4055研究所，也就是谭振华老妈的工作单位在宁都创立，开始了半导体微波器件的研制探索，4055所，也就是电子部南北两大半导体器件研究所中的“南所”。
1959年9月15日，“601试验所”（后发展为电子部第4046研究所）成功拉出华夏首颗硅单晶，使华夏成为继米国、苏俄之后，第三个可以自己拉制硅单晶的国家；还是在这一年，华夏首次用四**化硅氢还原法制成了纯度高达99.9999999%，史称“九个九”的高纯度多晶硅，拉出了第一根钨丝区熔单晶硅。
1962年，米国制成了全球第一支半导体激光器；华夏拉制出**化镓（GaAs）单晶，为研究制备化合物半导体器件建立了基础，也为华夏研制大功率微波半导体器件打下了第一根桩；还是在这一年，华夏研究制成硅外延工艺，并开始采用照相制版、光刻工艺。